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本文给出了多层介质膜反射率与入射角的关系的计算机程序,并列出了部份常用激光膜片反射率-角度曲线。 相似文献
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王晓青 《建设机械技术与管理》2003,16(6):22-24
1引言随着我国公路、机场、水电和高层建设的不断发展,通过对已出现的工程质量问题的分析与研究,各种混凝土、稳定土等中的石料的性质、大小规格、形状对其强度和使用寿命的影响是至关重要的,特别是在高等级公路的建设中为了保证路面的使用寿命,除对破碎石的性能指标要求外,对石料颗粒形状提出越来越高的要求,希望破碎后的各级石料中针、片状含量要少(<10%),业内人士已认识到破碎后石料产品的形状是越来越重要,这些都促使碎石集料生产单位和破碎设备生产单位的高度重视。对于破碎后各粒级石料颗粒形状的要求,取决于使用范围,各种工业都有各… 相似文献
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A formal technique for incorporating two specification paradigms is presented,in which an algebraic specification is implemented by a set of abstract procedures specified in pre and post-condition style.The link between the two level specifications is provided via a translation from terms of algebraic specifications into temporal logic formulae representing abstract programs.In terms of translation,a criterion for an abstract implementation satisfying its specification is given,which allows one to check the consistency between the two levels of specifications.The abstract implementations can be refined into executable code by refining each abstract procedure in it.It is proved that the satisfication relation between a specification and its implementations is preserved by such refinement steps. 相似文献
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本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1~ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度 相似文献
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J. G. Zheng Xiaoqing Pan M. Schweizer U. Weimar W. Göpel M. Rühle 《Journal of Materials Science》1996,31(9):2317-2324
Atomic structures of crystallographic shear planes (CSPs) in nanocrystalline thin films of semiconductor SnO2 were investigated by high-resolution electron microscopy. The films were prepared by electron beam evaporation in high vacuum (10–6 torr) and followed by annealing in synthetic air at 700 °C for 1–2 H. CSPs with the displacement vector of [1/2 0 1/2] were observed in the planes parallel to (¯101), (110) and (¯3¯21). Most of the CPSs were found to terminate or interact with each other within SnO2 crystallites. Partial dislocations exist at terminal places of CSPs or along intersecting lines of CSPs. CSP steps were also observed. Structural models of these defects have been proposed. Based on analysis of experimental data, it has been suggested that the Sn/O ratio at CSPs which are not parallel to their displacement vector, at cores of partial dislocations and at CSP steps, is higher than that of the perfect structure, that is, these defects are able to provide extra free electrons with the films. 相似文献
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